2N5551G-B-AB3-R دیتاشیت
مشخصات دیتاشیت
|
نام دیتاشیت
|
2N5551G-B-AB3-R
|
|
حجم فایل
|
62.633
کیلوبایت
|
|
نوع فایل
|
pdf
|
|
تعداد صفحات
|
4
|
مشخصات فنی
-
RoHS:
true
-
Category:
Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
-
Datasheet:
UTC(Unisonic Tech) 2N5551L-B-T92-K
-
Transistor Type:
NPN
-
Operating Temperature:
+150°C@(Tj)
-
Collector Current (Ic):
600mA
-
Power Dissipation (Pd):
625mW
-
Transition Frequency (fT):
100MHz
-
Collector Cut-Off Current (Icbo):
50nA
-
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo):
160V
-
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib):
200mV@50mA,5mA
-
Package:
TO-92-3
-
Manufacturer:
UTC(Unisonic Tech)
